BR фотоэлектрический (оптический) датчик цилиндрический

Технические характеристики фотоэлектрического (оптического) датчика BR

Фотоэлектрические (оптические) датчики серии BR в цилиндрическом корпусе Ø18мм обеспечивают обнаружение объектов на большом расстоянии, до 20 метров (датчики, срабатывающие при пересечении луча), и отличаются высокой скоростью отклика (менее 1 мс). Еще одной особенностью этой серии является отличная помехоустойчивость благодаря использованию цифровой обработки сигнала. Также доступны датчики с разъёмами, использование которых упрощает техническое обслуживание и электрическое подключение.

• Высокая помехоустойчивость благодаря цифровой обработке сигнала
• Высокая скорость отклика (менее 1 мс)
• Регулировка чувствительности
• Переключение между режимами - на свет / на затемнение с помощью кабеля управления 
• Встроенная защита от неправильной полярности подключения и защита выхода от перегрузки по току (короткого замыкания)
• Идеально подходят для установки в ограниченном пространстве (датчики с узким лучом)
• Степень защиты IP66 (стандарт МЭК)

Оптические датчики BR имеют различное расстояние срабатывания:

• 100 мм - BRP100-DDT; BRP100-DDT-C; BRP100-DDT-P; BRP100-DDT-C-P; BR100-DDT; BR100-DDT-C; BR100-DDT-P; BR100-DDT-C-P
• 200 мм - BRP200-DDTN; BRP200-DDTN-C; BRP200-DDTN-P; BRP200-DDTN-C-P; BR200-DDTN; BR200-DDTN-C; BR200-DDTN-P; BR200-DDTN-C-P
• 400 мм - BRP400-DDT; BRP400-DDT-C; BRP400-DDT-P; BRP400-DDT-C-P; BR400-DDT; BR400-DDT-C; BR400-DDT-P; BR400-DDT-C-P
• 0,1 - 3 м - BRP3M-MDT; BRP3M-MDT-C; BRP3M-MDT-P; BRP3M-MDT-C-P; BR3M-MDT; BR3M-MDT-C; BR3M-MDT-P; BR3M-MDT-C-P
• 4 м - BR4M-TDTL; BR4M-TDTL-C; BR4M-TDTD-P; BR4M-TDTD-C-P; BR4M-TDTL; BR4M-TDTL-C; BR4M-TDTL-P; BR4M-TDTL-C-P
• 20 м - BR20M-TDTD; BR20M-TDTD-C; BR20M-TDTD-P; BR20M-TDTD-C-P; BR20M-TDTL; BR20M-TDTL-C; BR20M-TDTL-P; BR20M-TDTL-C-P

Технические характеристики

Модель	NPN-выход с откр. коллектором	BRP100-DDT BRP100-DDT-C	BR100-DDT BR100-DDT-C	BRP400-DDT BRP400-DDT-C	BR400-DDT BR400-DDT-C	BRP200-DDTN BRP200-DDTN-C
	PNP-выход с откр. коллектором	BRP100-DDT-P BRP100-DDT-C-P	BR100-DDT-P BR100-DDT-C-P	BRP400-DDT-P BRP400-DDT-C-P	BR400-DDT-P BR400-DDT-C-P	BRP200-DDTN-P BRP200-DDTN-C-P
Тип срабатывания		Диффузное отражение				На отражение с узконаправленным лучом
Расстояние срабатывания		100 мм		400 мм		200 мм
Объект		Полупрозрачный, непрозрачный
Гистерезис		Не более 20% от номинального расстояния срабатывания
Время срабатывания		Не более 1 мс
Напряжение питания		12-24 В DC ±10%
Потребляемый ток		Не более 45 мА
Регулировка чувствительности		Подстроечный резистор встроенный
Режим работы		По выбору на свет/затемнение
Выход управления		NPN или PNP-выход с отрк. коллектором: Напряжение нагрузки Ток нагрузки не более 200 мА Остаточное напряжение: NPN - не более 1 В; PNP - не более 2,5 В
Электрическая защита		Защита от переполюсовки, защита от короткого замыкания
Индикаторы		Индикатор срабатывания; индикатор питания (для излучателя)
Сопротивление изоляции		Мин. 20 МОм (при 500 В)
Помехоустойчивость		Шум прямоугольной формы ±240 В (ширина импульса 1 мкс) от имитатора шума
Диэлектрическая прочность		1000 В AC 50/60 Гц в течении 1 мин.
Вибрация		Амплитуда 1,5 мм при частоте 10-55 Гц по каждой из осей
Ударная нагрузка		500 м/с2 (~ 50G) по каждой из осей 3 раза
Внешняя засветка		Солнечный свет - не более 11 000 лк; лампа накаливания - не более 3000 лк (засветка приемника)
Температура окр. среды		-10...+60 °С
Влажность		35 - 85% RH
Степень защиты		IP66
Масса		BRP: ~ 100 г BR: ~ 120 г BRP-C: ~ 70 г BR-C: ~ 90 г

Продолжение таблицы

Модель	NPN-выход с откр. коллектором	BR200-DDTN BR200-DDTN-C	BRP3M-MDT BRP3M-MDT-C	BR3M-MDT BR3M-MDT-C	BR4M-TDTD BR20M-TDTD BR4M-TDTD-C BR20M-TDTD-C	BR4M-TDTL BR20M-TDTL BR4M-TDTL-C BR20M-TDTL-C
	PNP-выход с откр. коллектором	BR200-DDTN-P BR200-DDTN-C-P	BRP3M-MDT-P BRP3M-MDT-C-P	BR3M-MDT-P BR3M-MDT-C-P	BR4M-TDTD-P BR20M-TDTD-P BR4M-TDTD-C-P BR20M-TDTD-C-P	BR4M-TDTL-P BR20M-TDTL-P BR4M-TDTL-C-P BR20M-TDTL-C-P
Тип срабатывания		На отражение с узконаправленным лучом	На отражение от рефлектора		На пересечение луча
Расстояние срабатывания		200 мм	0,1 - 3 м		4 м / 20 м
Объект		Полупрозрачный, непрозрачный	Непрозрачный, не менее ø 60 мм		Не прозрачный, не менее ø 15 мм
Гистерезис		Не более 20% от номинального расстояния срабатывания	-
Время срабатывания		Не более 1 мс
Напряжение питания		12-24 В DC ±10%
Потребляемый ток		Не более 45 мА
Регулировка чувствительности		Подстроечный резистор встроенный			Не регулируется
Режим работы		По выбору на свет/затемнение			На затемнение	На свет
Выход управления		NPN или PNP-выход с отрк. коллектором: Напряжение нагрузки Ток нагрузки не более 200 мА Остаточное напряжение: NPN - не более 1 В; PNP - не более 2,5 В
Электрическая защита		Защита от переполюсовки, защита от короткого замыкания
Индикаторы		Индикатор срабатывания; индикатор питания (для излучателя)
Сопротивление изоляции		Мин. 20 МОм (при 500 В)
Помехоустойчивость		Шум прямоугольной формы ±240 В (ширина импульса 1 мкс) от имитатора шума
Диэлектрическая прочность		1000 В AC 50/60 Гц в течении 1 мин.
Вибрация		Амплитуда 1,5 мм при частоте 10-55 Гц по каждой из осей
Ударная нагрузка		500 м/с2 (~ 50G) по каждой из осей 3 раза
Внешняя засветка		Солнечный свет - не более 11 000 лк; лампа накаливания - не более 3000 лк (засветка приемника)
Температура окр. среды		-10...+60 °С
Влажность		35 - 85% RH
Степень защиты		IP66
Масса		BRP: ~ 100 г BR: ~ 120 г BRP-C: ~ 70 г BR-C: ~ 90 г			BR: ~ 300 г BR-C: ~ 150 г