BFT сверхкомпактный фотоэлектрический (оптический) датчик со встроенным усилителем

Наличие уточняйте

К сравнению

Количество:

Цена и наличие по запросу

Заказать звонок Заказать

E-mail: teplogazkip@mail.ru

Скидка: возможность скидки уточняйте
Доставка

Информацию по доставке уточняйте по телефону

Серия сверхкомпактных фотоэлектрических (оптических) датчиков со встроенным усилителем BFT включает в себя модели с типом срабатывания: на пересечение луча, диффузное отражение, а так же диффузное отражение с функцией подавления заднего фона

Производитель: Autonics

технические характеристики

документация и ПО

Технические характеристики фотоэлектрического (оптического) датчика BFT

Преимущества сверхкомпактного фотоэлектрического (оптического) датчика BFT:

Сверхкомпактный размер
Удобно определять положение луча благодаря видимому красному светодиод
Особенности модели с функцией подавления заднего фона (BGS): минимальное влияние фоновых обьектов на работу датчика
Возможность обнаружения объектов диаметром до 0,2 мм
Индикатор стабильности и индикатор срабатывания
Защита от переполюсовки и короткого замыкания
Степень защиты IP67 (стандарт МЭК)

Серия оптических датчиков BFT включает в себя следующие модели:

на пересечение луча - BTF1M-TDTL, BTF1M-TDTL-P, BTF1M-TDTD, BTF1M-TDTD-P
диффузное отражение - BTF30-DDTL, BTF30-DDTL-P, BTF30-DDTD, BTF30-DDTD-P
диффузное отражение с подавлением заднего фона - BTF15-BDTL, BTF15-BDTL-PBTF15-BDTD, BTF15-BDTD-P

Модификации

Модификация	Краткое описание	Модификация	Краткое описание
BTF1M-TDTL	Срабатывание на пересечение луча; расстояние срабатывания 1м; объект обнаружения непрозрачный материал с мин. Ø2мм; питание 12-24V DC ±10%; NPN; режим работы на свет	BTF30-DDTD	Срабатывание на диффузное отражение; расстояние срабатывания 5-30мм; объект обнаружения полупрозрачный материал с Ø0.2мм; питание 12-24V DC ±10%; NPN; режим работы на затемнение
BTF1M-TDTL-P	Срабатывание на пересечение луча; расстояние срабатывания 1м; объект обнаружения непрозрачный материал с мин. Ø2мм; питание 12-24V DC ±10%; PNP; режим работы на свет	BTF30-DDTD-P	Срабатывание на диффузное отражение; расстояние срабатывания 5-30мм; объект обнаружения полупрозрачный материал с Ø0.2мм; питание 12-24V DC ±10%; PNP; режим работы на затемнение
BTF1M-TDTD	Срабатывание на пересечение луча; расстояние срабатывания 1м; объект обнаружения непрозрачный материал с мин. Ø2мм; питание 12-24V DC ±10%; NPN; режим работы на затемнение	BTF15-BDTL	Срабатывание на диффузное отражение с подавлением заднего фона; расстояние срабатывания 1-15мм; объект обнаружения непрозрачный, полупрозрачный материал, не подсвечиваемый Ø0.2мм; питание 12-24V DC ±10%; NPN; режим работы на свет
BTF1M-TDTD-P	Срабатывание на пересечение луча; расстояние срабатывания 1м; объект обнаружения непрозрачный материал с мин. Ø2мм; питание 12-24V DC ±10%; PNP; режим работы на затемнение	BTF15-BDTL-P	Срабатывание на диффузное отражение с подавлением заднего фона; расстояние срабатывания 1-15мм; объект обнаружения непрозрачный, полупрозрачный материал, не подсвечиваемый Ø0.2мм; питание 12-24V DC ±10%; PNP; режим работы на свет
BTF30-DDTL	Срабатывание на диффузное отражение; расстояние срабатывания 5-30мм; объект обнаружения непрозрачный, полупрозрачный материал с Ø0.2мм; питание 12-24V DC ±10%; NPN; режим работы на свет	BTF15-BDTD	Срабатывание на диффузное отражение с подавлением заднего фона; расстояние срабатывания 1-15мм; объект обнаружения непрозрачный, полупрозрачный материал, не подсвечиваемый Ø0.2мм; питание 12-24V DC ±10%; NPN; режим работы на затемнение
BTF30-DDTL-P	Срабатывание на диффузное отражение; расстояние срабатывания 5-30мм; объект обнаружения непрозрачный, полупрозрачный материал с Ø0.2мм; питание 12-24V DC ±10%; PNP; режим работы на свет	BTF15-BDTD-P	Срабатывание на диффузное отражение с подавлением заднего фона; расстояние срабатывания 1-15мм; объект обнаружения непрозрачный, полупрозрачный материал, не подсвечиваемый Ø0.2мм; питание 12-24V DC ±10%; PNP; режим работы на затемнение

Технические характеристики

Модель	NPN с откр. коллектором	BTF1M-TDTL	BTF1M-TDTD	BTF30-DDTL	BTF30-DDTD	BTF15-BDTL	BTF15-BDTD
	PNP с откр. коллектором	BTF1M-TDTL-P	BTF1M-TDTD-P	BTF30-DDTL-P	BTF30-DDTD-P	BTF15-BDTL-P	BTF15-BDTD-P
Тип срабатывания		На пересечении луча		Диффузное отражения		Функция подавления заднего фона
Расстояние срабатывания		1 м		5 - 30 мм (матовая белая бумага, 50х50 мм)		1 - 15 мм (матовая белая бумага, 50х50 мм)
Объект		Непрозрачный, не более Ø 2 мм		Непрозрачный, полупрозрачный		Непрозрачный, полупрозрачный
Мин. размер объекта		Непрозрачный, не более Ø 2 мм		Ø 2 мм (расстояние срабатывания)		Неосвещенный, Ø 2 мм (расстояние срабатывания)
Гистерезис		-		Не более 20% от номинального расстояния срабатывания		Не более 5% от номинального расстояния срабатывания
Отражательная способность		-		-		Не более 15% от предельного расстояния срабатывания
Время срабатывания		Не более 1 мс
Напряжение питания		12-24 В DC ±10% (пульсация двойной амплитуды не более 10%)
Потребляемый ток		Не более 20 мА (потребление каждого излучателя и приемника с типом срабатывания на пересечение луча)
Источник света		Красный LED (650 нм)
Режим работы		На свет	На затемнение	На свет	На затемнение	На свет	На затемнение
Выход управления		NPN или PNP-выход с открытым коллектором: Напряжение нагрузки не более 26,4 В Ток нагрузки не более 50 мА Остаточное напряжение: NPN - не более 1 В; PNP - не более 2 В
Электрическая защита		Защита от переполюсовки и короткого замыкания
Индикаторы		Индикатор стабильности и индикатор срабатывания
Сопротивление изоляции		Не менее 20 МОм (при 500 В)
Помехоустойчивость		Шум прямоугольной формы ±240 В (ширина импульса 1 мкс) от имитатора шума
Диэлектрическая прочность		1000 В AC, 50/60 Гц в течении 1 минуты
Вибрация		Амплитуда 1,5 мм при частоте 10 - 55 Гц
Ударная нагрузка		500 м/с² (~ 50G) по каждой из осей 3 раза
Внешняя засветка		Солнечный свет - не более 10 000 лк; лампа накаливания - не более 3000 лк (засветка)
Температура окр. среды		-25...+55°С
Влажность		35-85% RH
Степень защиты		IP 67 (стандарт МЭК)
Масса		~ 40 г		~ 25 г

Инструкция, руководство по эксплуатации фотоэлектрического (оптического) датчика BFT

Инструкция датчика фотоэлектрического (оптического) BFT

Вернуться