BA компактный фотоэлектрический (оптический) датчик с диффузным отражением

Наличие уточняйте

К сравнению

Количество:

Цена и наличие по запросу

Заказать звонок Заказать

E-mail: teplogazkip@mail.ru

Скидка: возможность скидки уточняйте
Доставка

Информацию по доставке уточняйте по телефону

Производитель: Autonics

технические характеристики

документация и ПО

Технические характеристики фотоэлектрического (оптического) датчика BA

Датчик фотоэлектрический (оптический) BA диффузного типа с увеличенным расстоянием срабатывания отличается специально разработанной оптикой, обеспечивающей увеличенное расстояние срабатывания до 2 метров. Датчики этой серии оснащены встроенными регуляторами чувствительности и могут работать как в режиме на свет, так и в режиме на затемнение в зависимости от модели. Благодаря индикатору рабочего режима/стабильности сигнала пользователи могут легко определять рабочее состояние.

Большое расстояние срабатывания – до 2 метров
Встроенный индикатор стабильного обнаружения
Имеет функцию регулировки чувствительности
Двухцветный светодиодный индикатор
Степень защиты IP64 (стандарт МЭК)

Датчики оптические серии BA имею схожие характеристики, отличаясь лишь видом корпуса и типом выхода:

NPN-выход с открытым коллектором: BA2M-DDT; BA2M-DDTD
PNP-выход с открытым коллектором: BA2M-DDT-P; BA2M-DDTD-P

Модификации

Модификация	Краткое описание	Модификация	Краткое описание
BA2M-DDT	Питания 12-24V DC ±10%; выход NPN; расстояние срабатывания 2 м; режим работы: на свет	BA2M-DDTD	Питания 12-24V DC ±10%; выход NPN; расстояние срабатывания 2 м; режим работы: на затемнение
BA2M-DDT-P	Питания 12-24V DC ±10%; выход PNP; расстояние срабатывания 2 м; режим работы: на свет	BA2M-DDTD-P	Питания 12-24V DC ±10%; выход PNP; расстояние срабатывания 2 м; режим работы: на затемнение

Технические характеристики

Модель	NPN-выход с откр. коллектором	BA2M-DDT	BA2M-DDTD
	PNP-выход с откр. коллектором	BA2M-DDT-P	BA2M-DDTD-P
Тип срабатывания		Диффузное отражение
Расстояние срабатывания		2 м (матовая белая бумага, 200х200 мм)
Объект		Полупрозрачный, непрозрачный
Гистерезис		Не более 20% от расстояния срабатывания
Время срабатывания		~ 1 мс
Напряжение питания		12-24 В DC ±10%
Потребляемый ток		Не более 15 мА (если выход включен, то не более 30 мА)
Регулировка чувствительности		Подстроечный резистор (встроенный)
Режим работы		На свет		На затемнение
Выход управления		NPN или PNP-выгод с открытым коллектором: Напряжение нагрузки не более 26,4 В DC Ток нагрузки не более 100 мА Остаточное напряжения: NPN - не более 1 В; PNP - не менее 2,5 В
Электрическая защита		Защита от переполюсовки и короткого замыкания
Индикаторы		Индикатор срабатывания, индикатор стабильности
Сопротивление изоляции		Не менее 20 МОм (при 500 В)
Помехоустойчивость		Шум прямоугольной формы ±240 В (ширина импульса 1 мкс) от имитатора шума
Диэлектрическая прочность		1000 В AC, 50/60 Гц в течении 1 минуты
Вибрация		Амплитуда 1,5 мм при частоте 10-55 Гц по каждой из осей
Ударная нагрузка		100 м/c² (~ 10G) по каждой из осей 3 раза
Внешняя засветка		Солнечный свет - не более 11 000 лк; лампа накаливания - не более 3000 лк (засветка приемника)
Температура окр. среды		-25...+55°С
Влажность		35 - 85% RH
Степень защиты		IP64
Масса		~ 50 г

Инструкция, руководство по эксплуатации фотоэлектрического (оптического) датчика BA

Краткий каталог Autonics

Вернуться